真空鍍又稱真(zhen)空(kong)鍍(du)(du)金、真(zhen)空(kong)鍍(du)(du)膜，指的(de)(de)(de)(de)是利(li)用物理過程實(shi)現物質轉(zhuan)移(yi)，將原子(zi)(zi)或(huo)分子(zi)(zi)由源(yuan)轉(zhuan)移(yi)到基(ji)材(cai)表面上的(de)(de)(de)(de)過程。它的(de)(de)(de)(de)作用是可以使一些有特殊(shu)性(xing)(xing)能(neng)(強(qiang)度高、耐磨性(xing)(xing)、散(san)熱(re)性(xing)(xing)、耐腐性(xing)(xing)等)的(de)(de)(de)(de)微(wei)粒噴涂(tu)在性(xing)(xing)能(neng)較低的(de)(de)(de)(de)基(ji)材(cai)上，使得材(cai)料具有更(geng)好的(de)(de)(de)(de)性(xing)(xing)能(neng)。 真(zhen)空(kong)鍍(du)(du)的(de)(de)(de)(de)基(ji)本方法分為(wei)真(zhen)空(kong)蒸發和離(li)子(zi)(zi)鍍(du)(du)其中(zhong)離(li)子(zi)(zi)鍍(du)(du)分為(wei)：空(kong)心(xin)陰極離(li)子(zi)(zi)鍍(du)(du)、熱(re)陰極離(li)子(zi)(zi)鍍(du)(du)、電弧離(li)子(zi)(zi)鍍(du)(du)、活性(xing)(xing)反應(ying)離(li)子(zi)(zi)鍍(du)(du)、射頻(pin)離(li)子(zi)(zi)鍍(du)(du)、直(zhi)流放電離(li)子(zi)(zi)鍍(du)(du)。
真空鍍簡稱(cheng)PVD是(shi)(shi)英文Physical Vapor Deposition(物(wu)理氣相沉積)的縮寫(xie)，是(shi)(shi)指在真空條件下，采用低電(dian)壓、大電(dian)流的電(dian)弧放(fang)電(dian)技術，利用氣體放(fang)電(dian)使(shi)靶材(cai)蒸(zheng)發(fa)并使(shi)被蒸(zheng)發(fa)物(wu)質與氣體都(dou)發(fa)生電(dian)離，利用電(dian)場的加速(su)作用，使(shi)被蒸(zheng)發(fa)物(wu)質及其反應產物(wu)沉積在工件上(shang)。
增(zeng)(zeng)強型磁控(kong)陰(yin)極(ji)弧：陰(yin)極(ji)弧技術是在(zai)真(zhen)空條件(jian)下(xia)，通過(guo)低(di)電壓和(he)高(gao)電流(liu)將(jiang)靶(ba)材(cai)離化成離子(zi)狀態，從而完成薄(bo)膜材(cai)料的沉積(ji)。增(zeng)(zeng)強型磁控(kong)陰(yin)極(ji)弧利用電磁場的共同作用，將(jiang)靶(ba)材(cai)表面的電弧加以有效地控(kong)制，使材(cai)料的離化率更高(gao)，薄(bo)膜性能更加優(you)異。
過(guo)濾(lv)(lv)陰極弧：過(guo)濾(lv)(lv)陰極電弧(FCA )配有(you)高效的(de)電磁過(guo)濾(lv)(lv)系統，可(ke)將離子源(yuan)產(chan)生的(de)等離子體中的(de)宏觀(guan)粒(li)子、離子團過(guo)濾(lv)(lv)干凈，經過(guo)磁過(guo)濾(lv)(lv)后沉(chen)積粒(li)子的(de)離化率為100%，并且可(ke)以過(guo)濾(lv)(lv)掉(diao)大顆粒(li)，因此(ci)制備的(de)薄膜非常致密(mi)和(he)平整光滑，具有(you)抗腐蝕(shi)性能好，與機體的(de)結合力很強。
磁控濺射(she)：在真(zhen)空環境下，通(tong)過電(dian)(dian)壓和磁場(chang)的(de)共同(tong)作用(yong)(yong)，以被離(li)(li)化的(de)惰性氣體離(li)(li)子對靶(ba)材(cai)進行轟擊，致使(shi)靶(ba)材(cai)以離(li)(li)子、原子或分子的(de)形(xing)(xing)式被彈(dan)出并沉積在基件上形(xing)(xing)成薄(bo)膜。根據使(shi)用(yong)(yong)的(de)電(dian)(dian)離(li)(li)電(dian)(dian)源(yuan)的(de)不同(tong)，導體和非導體材(cai)料(liao)均可作為靶(ba)材(cai)被濺射(she)。
離(li)(li)(li)子束(shu)DLC：碳(tan)(tan)氫氣(qi)體在離(li)(li)(li)子源中被離(li)(li)(li)化成等(deng)離(li)(li)(li)子體，在電磁場的(de)共同(tong)作(zuo)用下，離(li)(li)(li)子源釋放出碳(tan)(tan)離(li)(li)(li)子。離(li)(li)(li)子束(shu)能(neng)量(liang)(liang)通過(guo)調整(zheng)加(jia)在等(deng)離(li)(li)(li)子體上(shang)的(de)電壓(ya)來(lai)控制(zhi)。碳(tan)(tan)氫離(li)(li)(li)子束(shu)被引到基(ji)片上(shang)，沉(chen)(chen)積速度與離(li)(li)(li)子電流密(mi)度成正比。星(xing)弧涂層的(de)離(li)(li)(li)子束(shu)源采用高電壓(ya)，因而離(li)(li)(li)子能(neng)量(liang)(liang)更(geng)大(da)(da)，使得薄膜與基(ji)片結合力很好;離(li)(li)(li)子電流更(geng)大(da)(da)，使得DLC膜的(de)沉(chen)(chen)積速度更(geng)快。離(li)(li)(li)子束(shu)技術的(de)主要優點在于(yu)可沉(chen)(chen)積超薄及多層結構，工藝控制(zhi)精度可達幾個埃，并可將工藝過(guo)程中的(de)顆料(liao)污染(ran)所帶來(lai)的(de)缺(que)陷降至最小。
其中應用最為廣泛的(de)真空鍍工(gong)藝(yi)就是(shi)磁控濺(jian)射，表面(mian)不僅光滑(hua)耐磨而且環(huan)保容易(yi)操作，青(qing)島地區真(zhen)空鍍做的(de)比(bi)較(jiao)(jiao)全面(mian)的(de)比(bi)較(jiao)(jiao)專業(ye)的(de)青(qing)島大東電子，大家(jia)有機(ji)會可以(yi)去學(xue)習參觀，先進的(de)設備跟工(gong)藝(yi)帶來科技改變(bian)工(gong)業(ye)的(de)震撼。
關(guan)鍵詞： 真(zhen)空鍍(du) 真(zhen)空鍍(du)金 PVD 真(zhen)空鍍(du)膜(mo) 青島大(da)東電子(zi)
